-
構造
- ゲートに電圧をかけると p channel, n-channel ができて電気が流れるようになる
- n-ch MOSFET:
- ゲートに電圧がかかるとそこに電子が吸い寄せられて、S-D 間の基板表面に n-channel ができる
- 参考：
電界効果トランジスタ 電圧制御素子 接合形 MOS形 入力インピーダンス チャネル エンハンスメント形 デプレッション形 - １アマの無線工学 R13年08月期 B-02
-
特性
- p-ch MOS は高い電圧をうまく伝えられない
- n-ch MOS は低い電圧をうまく伝えられない
- ゲートとドレインの電圧がどちらも高いと、ゲートから印加されていたドレイン周辺の電圧が下がり、 n-channel が保てなくなり消失する（ピンチオフ現象という）
- channel はなくなるが、電子は空乏層の中をドレインにかかっている電圧に引き寄せられるので、電流は流れる。ただし電流は線形領域のようにドレインソース間電圧に比例しては増えない（飽和領域）
- 飽和領域ではドレインソース間電圧によっては電流はあまり増えないが、ゲート電圧によっては大きく増える
- 初期の頃は p-MOS のみが使われていた
- p-MOS —> n-MOS —> CMOS
- NOR より回路の特性がいい